新增8纳米LPU！三星更新技术线路图，更多黑科技被曝光

DsGaming_CheNx

日前，三星在日本举办了三星铸造工厂论坛 2018 年会，在会上公布了多项制程工艺技术，让人耳目一新。
在会上三星透露，7 纳米工艺会在接下来的几个季度内大规模量产，同时三星将会引入 8 纳米 LPU 工艺，最后是三星已经针对 3 纳米工艺进行布局，将会使用一种全新的 GAAFET 技术来实现 3 纳米制程工艺。
三星表示，已经在韩国的工厂中配备了多台 ASML Twinscan NXE:3400B EUV 光刻机，价值 6 万亿韩元的 EUV 产线也预计 2019 年竣工，将会在 2020 年开足马力全力生产。


值得注意的是，因为此前三星的 7 纳米工艺跳票，所以高通的下代旗舰芯片将会由台积电进行代工，让三星损失惨重。不过三星表示高通的 5G SoC（并非骁龙 855）将会由三星负责代工，但这也是后话了。
8 纳米 LPU 工艺的到来或许会让人感到意外，三星表示这是 8 纳米 LPP 工艺的改良版，这时候推出新工艺是为了填补 7 纳米工艺大规模量产之前的空窗期，而高通也会是 8 纳米 LPU 工艺的客户之一，估计未来的 6 系列和 7 系列芯片会使用这一制程工艺。
在三星的计划表中，已经确定将会在 2019 年利用 FinFET 技术，对 5 纳米和 4 纳米工艺进行风险试产。但由于到了 3 纳米工艺的时候，FinFET 技术已经无法满足需要，所以将会转用新研发的 GAAFET 技术方案，3 纳米工艺将会在 2020 年进行试产。


根据摩尔定律，半导体行业的集成度不断飞升，但到了现在已经进入了瓶颈期。如果在材料和技术方面无法取得突破，那么制程工艺在长时间内很可能会止步不前。
说个题外话，虽然三星的工艺已经开始向 3 纳米探索，但英特尔的芯片工艺却依然停留在 10 纳米。话虽如此，同样是 10 纳米工艺，英特尔芯片的集成度几乎是三星的一倍，所以能效也领先许多。